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多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。

多晶硅相關(guān)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

1、GB/T 38907-2020 節(jié)水型企業(yè) 多晶硅行業(yè)

2、GB/T 18916.47-2020 取水定額 第47部分：多晶硅生產(chǎn)

3、GB/T 10067.416-2019 電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件 第416部分:多晶硅鑄錠爐

4、GB/T 29054-2019 太陽(yáng)能電池用鑄造多晶硅塊

5、GB/T 37049-2018 電子級(jí)多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

6、GB/T 37049-2018 電子級(jí)多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

7、GB/T 35309-2017 用區(qū)熔法和光譜分析法評(píng)價(jià)顆粒狀多晶硅的規(guī)程

8、GB/T 25074-2017 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅

9、GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化學(xué)分析 輝光放電質(zhì)譜法

10、GB/T 12963-2014 電子級(jí)多晶硅

11、GB 51034-2014 多晶硅工廠設(shè)計(jì)規(guī)范

12、GB/T 29054-2012 太陽(yáng)能級(jí)鑄造多晶硅塊

13、GB/T 29057-2012 用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程

14、GB 29447-2012 多晶硅企業(yè)單位產(chǎn)品能源消耗限額

15、GB/T 24579-2009 酸浸取.原子吸收光譜法測(cè)定多晶硅表面金屬污染物

16、GB/T 32652-2016 多晶硅鑄錠石英坩堝用熔融石英料

17、YS/T 1290-2018 多晶硅生產(chǎn)尾氣中硅烷含量的測(cè)定 氣相色譜法

18、DB15/T 1239-2017 多晶硅生產(chǎn)凈化氫氣用活性炭中雜質(zhì)含量的測(cè)定 電感耦合等離子體發(fā)射光譜法

19、YS/T 1195-2017 多晶硅副產(chǎn)品 四氯化硅

20、YS/T 724-2016 多晶硅用硅粉

21、DB53/T 747-2016 多晶硅生產(chǎn)回收氫氣中氯化氫含量的測(cè)定 氣相色譜法

22、JC/T 2349-2015 多晶硅生產(chǎn)用氮化硅陶瓷絕緣體

23、YS/T 1061-2015 改良西門子法多晶硅用硅芯

24、YS/T 983-2014 多晶硅還原爐和氫化爐尾氣成分的測(cè)定方法

25、DB53/T 618-2014 氣相色譜法測(cè)定多晶硅生產(chǎn)中氫化尾氣 組分含量

26、DB65/T 3486-2013 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅塊紅外探傷檢測(cè)方法

27、DB65/T 3485-2013 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅塊少數(shù)載流子壽命測(cè)量方法

28、DB53/T 501-2013 多晶硅用三氯氫硅雜質(zhì)元素含量測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

29、DB53/T 499-2013 多晶硅用三氯氫硅

30、DB53/T 500-2013 多晶硅用三氯氫硅組分含量測(cè)定 氣相色譜法

31、DB13/T 1632-2012 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅塊

32、DB36/ 652-2012 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅單位產(chǎn)品能源消耗限額

33、JC/T 2067-2011 太陽(yáng)能多晶硅用熔融石英陶瓷坩堝

34、KS D 2715-2006 單晶硅和多晶硅納米/微薄膜拉伸的試樣

35、ASTM F1724-1996 用酸性萃取原子吸收光譜法測(cè)量多晶硅表面金屬雜質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法

36、ASTM F1723-1996 用浮區(qū)晶體增長(zhǎng)和光譜法評(píng)估多晶硅竿材的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)范

37、CSN 34 5911-1986 多晶硅

38、GOST 19658-1981 多晶硅錠.技術(shù)條件

39、MSZ 12435/3-1977 多晶硅．主要技術(shù)特征